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做和LED芯片基础知识的一些要点

发布时间:2021-09-20 07:05:44 阅读: 来源:鼓风机厂家

LED芯片基础知识的一些要点

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识,1962年,通用电气公司的尼克?何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文lightemittingdiode(发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体并且⑷0℃的低温寒冷环境的实验也毫无问题材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,即固体封装,所以能起到保护内部芯线的作用,所以LED的抗震性能好。

最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。

二、LED芯片的原理

LED(LightEmittingDiode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。

三、主要芯片厂商

德国的欧司朗,美国的流明、CREE、AXT,台湾的广稼、国联(FPD)、鼎元(TK)、华汕(钢结构检测需要哪些项目 钢结构需要哪些检测?AOC)、汉光(HL)、艾迪森、光磊(ED),韩国的有首尔,日本的有日亚、东芝,大陆的有大连路美、福地、三安、杭州士兰明芯、仿日亚等它们都是大家耳熟能详的芯片供应商,下面根据产地细分下。

台湾LED芯片厂商:晶元光电(Epistar)简称:ES、(联诠、元坤,连勇,国联),广镓光电(Huga),新世纪(GenesisPhotonics),华上(ArimaOptoELectronics)简称:AOC,泰谷光电(Tekcore),奇力,钜新,光宏,晶发,视创,洲磊,联胜(HPO),汉光(HL),光磊(ED),鼎元(Tyntek)简称:TK,曜富洲技TC,灿圆(FormosaEpitaxy),国通,联鼎,全新光电(VPEC)等。华兴(LedtechElectronics)、东贝(UnityOptoTechnology)、光鼎(Pa市镇政府是生活垃圾分类回收工作的主要责任人raLightElectronics)、亿光(EverlightElectronics)、佰鸿(BrightLEDElectronics)、今台(Kingbright)、菱生精密(LingsenPrecisionIndustries)、立基(LigitekElectronics)、光宝(Lite-OnTechnology)、宏齐(HARVATEK)等。

大陆LED芯片厂商:三安光电简称(S)、上海蓝光(Epili本公司采取的传感器精度高ght)简称(E)、士兰明芯(SL)、大连路美简称(LM)、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大,山东华光、上海蓝宝等。

国外LED芯片厂商:CREE,惠普(HP),日亚化学(Nichia),丰田合成,大洋日酸,东芝、昭和电工(SDK),Lumileds,旭明(Smileds),Genelite,欧司朗(Osram),GeLcore,首尔半导体等,普瑞,韩国安萤(Epivalley)等

四、LED芯片的分类

芯片定义与特点

定义:MetalBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:

(1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。

ThermalConductivity

GaAs:46W/m-KGaP:77W/m-K

Si:125——150W/m-K

Cupper:300——400W/m-k

SiC:490W/m-K

(2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。

(3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3——4倍),更适应于高驱动电流领域。

(4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。

(5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB。

芯片定义和特点

定义:GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。特点:

(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbablestructure)芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

(2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。

(3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

(4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

芯片定义和特点

定义:transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。特点:

(1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED。

(2)信赖性卓越。

(3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。

(4)应用广泛。

芯片定义与特点

定义:Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平,差距不大。

大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等。

特点:

(1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

(2)信赖性优良。

(3)应用广泛。

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